IFPB 2019 — Questão 41 · Elétrica

Considere os itens a respeito do arranjo em série e paralelo de chaves eletrônicas e atribua V para verdadeiro ou F se falso.

( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj´s em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ´s) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais.

( ) Em IGBT´s o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente.

( ) Para conexão de TBJ´s em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor.

( ) Já para o paralelismo de MOSFET´s, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.

Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.